IR HiRel功率20V-800V汽車(chē)MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2020-12-14 16:37:20 瀏覽:1081
IR HiRel是高效發(fā)電、電源和電源解決方案的市場(chǎng)領(lǐng)先者。最新一代IR HiRel MOSFET晶體管旨在確保市場(chǎng)領(lǐng)先性能,提高效率,并根據(jù)最新的EMI行為實(shí)現(xiàn)更好的散熱。
IR HiRel提供廣泛的功率MOSFET,包括N溝道MOSFET、P溝道MOSFET和雙溝道MOSFET,適用于AEC-Q 101認(rèn)證的汽車(chē)應(yīng)用。
IR HiRel的汽車(chē)光學(xué)功率MOSFET和CoolMOS超級(jí)結(jié)MOSFET在20V-800 V范圍內(nèi)提供參考質(zhì)量,封裝多樣化,R DS(ON)低至0.35米Ω。
通過(guò)使用高質(zhì)量的部件,如IR HiRel的汽車(chē)動(dòng)力MOSFET、工程師和汽車(chē)制造商,他們可以幫助使MOSFET相關(guān)的故障降到最低。所有以IR HiRel MOSFET命名的汽車(chē)都符合最高的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了AEC-Q 101。
基于IR HiRel領(lǐng)先的MOSFET技術(shù),優(yōu)良的質(zhì)量和堅(jiān)實(shí)的封裝,繼續(xù)提供性能優(yōu)良的最新汽車(chē)MOSFET產(chǎn)品:
在溝槽技術(shù)方面領(lǐng)先的R DS(ON)性能
標(biāo)準(zhǔn)包裝的最新特點(diǎn)
最小開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通功率損耗
強(qiáng)力包裝技術(shù)
MOSFET被部署在汽車(chē)應(yīng)用的各種關(guān)鍵部件中。例如,MOSFET驅(qū)動(dòng)各種電機(jī),從加熱和通風(fēng)系統(tǒng)到窗戶和雨刷。甚至座椅調(diào)整和天窗也使用MOSFET來(lái)執(zhí)行功能。
IR HiRel MOSFET還用于安全關(guān)鍵應(yīng)用,如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)、電動(dòng)制動(dòng)器和噴射系統(tǒng)。此外,它們還充當(dāng)車(chē)載充電器、HV/LVDC/DC變換器、電池管理系統(tǒng)和逆變器。
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢(shì)渠道供貨IR高可靠性系列產(chǎn)品,歡迎各界前來(lái)咨詢。
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Product | VDS max [V] | RDS (on) @10V max [m?] | RDS (on) @10V [m?] | ID @25°C max [A] | QG typ @10V [nC] | Operating Temperature min [°C] | Operating Temperature max [°C] | VGS(th) min [V] | VGS(th) max [V] | VGS(th) [V] |
IPP65R190CFD7A | 650 | 190 | 14 | 28 | -40 | 150 | 3.5 | 4.5 | 4 | |
IPB65R190CFD7A | 650 | 190 | 14 | 28 | -40 | 150 | 3.5 | 4.5 | 4 | |
IPW65R190CFD7A | 650 | 190 | 14 | 28 | -40 | 150 | 3.5 | 4.5 | 4 | |
IAUC28N08S5L230 | 80 | 23 | 28 | 11.6 | -55 | 175 | 1.2 | 2 | ||
IAUZ20N08S5L300 | 80 | 30 | 20 | 8.1 | -55 | 175 | 1.2 | 2 | ||
IPW65R145CFD7A | 650 | 145 | 17 | -40 | 150 | 3.5 | 4.5 | 4 | ||
IPBE65R190CFD7A | 650 | 190 | 14 | 28 | -40 | 150 | 3.5 | 4.5 | 4 | |
IAUZ40N08S5N100 | 80 | 10 | 40 | 18.6 | -55 | 175 | 2.2 | 3.8 | ||
IAUS300N10S5N015T | 100 | 1.5 | 166 | 2.2 | 3.8 | |||||
IAUS260N10S5N019T | 100 | 1.9 | 128 | 2.2 | 3.8 | |||||
IAUS300N08S5N014T | 80 | 1.4 | 144 | 2.2 | 3.8 | |||||
IAUS300N08S5N012T | 80 | 1.2 | 178 | 2.2 | 3.8 | |||||
AUIRFR4292 | 250 | 345 | 9.3 | 13 | 3 | 5 | ||||
IPP65R099CFD7A | 650 | 99 | 24 | 53 | -40 | 150 | 3.5 | 4.5 | 4 | |
IPG20N04S4-08 | 40 | 7.6 | 20 | 28 | 2 | 4 | ||||
IPD35N10S3L-26 | 100 | 24 | 35 | 30 | 1.2 | 2.4 | ||||
IPBE65R230CFD7A | 650 | 230 | 11 | 23 | -40 | 150 | 3.5 | 4.5 | 4 | |
AUIRFS3607 | 75 | 9 | 80 | 56 | 2 | 4 | ||||
IPB80N03S4L-03 | 30 | 3.4 | 80 | 60 | 1 | 2.2 | ||||
AUIRFZ24NS | 55 | 70 | 17 | 13.3 | 2 | 4 | ||||
IPB120N04S4-04 | 40 | 120 | 42 | 2 | 4 | |||||
IPB65R115CFD7A | 650 | 115 | 21 | 42 | -40 | 150 | 3.5 | 4.5 | 4 | |
AUIRFS4310 | 100 | 7 | 75 | 170 | 2 | 4 | ||||
IPG16N10S4-61 | 100 | 61 | 16 | 5.4 | 2 | 3.5 | ||||
IPB60R099CPA | 600 | 105 | 31 | 60 | 2.5 | 3.5 | ||||
AUIRFR4105Z | 55 | 24.5 | 30 | 18 | 2 | 4 | ||||
AUIRF6215S | -150 | 290 | -13 | 44 | -2 | -4 | ||||
IPB70N12S3-11 | 120 | 11.3 | 70 | 51 | 2 | 4 | ||||
IPP80N08S2L-07 | 75 | 7.1 | 80 | 183 | 1.2 | 2 |
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JANSR2N7626UBN單P溝道MOSFET具備抗輻射能力,-60V電壓等級(jí),-0.53A輸出電流。特性包括單粒子效應(yīng)強(qiáng)化、快速切換、低總門(mén)電荷、CMOS和TTL兼容。適用于負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、同步整流、配電電路等。產(chǎn)品型號(hào):JANSR2N7626UBN。
Renesas?提供使用范圍多方面的比較器產(chǎn)品,包括納米技術(shù)功率比較器、高速CMOS比較器和高精密四核比較器。Renesas的通用型比較器選用CMOS技術(shù)應(yīng)用,比較適用于低電壓、低功耗和快速響應(yīng)。還提供了用作超高壓應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展溫度操作的通用型比較器。
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