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Renesas單片硅射頻衰減器可提供各種各樣數(shù)字或模擬控制。Renesas所有的射頻衰減器具備高帶寬、低插入損耗、高線(xiàn)性、高衰減精確度、低偏差等特性。射頻衰減器的應(yīng)用包括無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施（基站和寬帶基礎(chǔ)設(shè)施）(CATV)）、微波無(wú)線(xiàn)電、通訊衛(wèi)星和數(shù)據(jù)終端、通用型通信設(shè)備、測(cè)試和測(cè)量設(shè)備。

Renesas率先推出出選用Glitch-Free?數(shù)字步進(jìn)衰減器(DSA)，優(yōu)化軟件界面、提高安全可靠性、避免毀壞功率放大器等昂貴的子部件，限制數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器輸入超過(guò)額定范圍。Renesas的創(chuàng)新型Glitch-Free?技術(shù)可以清除發(fā)送和/或接收路徑中的衰減設(shè)置過(guò)沖(毛刺)，可以使最高有效位(MSB)過(guò)渡期間瞬時(shí)毛刺減少了95%。

另外，Renesas電壓可變衰減器(VVA)為用戶(hù)提供模擬控制，以滿(mǎn)足需要更準(zhǔn)確的衰減應(yīng)用程序。這些與類(lèi)似的競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比較VVA有近半的低插入損耗和高IP3性能指標(biāo)，在電壓控制范圍內(nèi)線(xiàn)性衰減(dB)。硅基RF半導(dǎo)體技術(shù)，Renesas的衰減器為源于GaA原有的半導(dǎo)體技術(shù)提供了強(qiáng)有力的替代方案。硅技術(shù)提供了更強(qiáng)的靜電放電(ESD)保護(hù)，更好的溫度敏感度等級(jí)(MSL)、硅技術(shù)長(zhǎng)期性驗(yàn)證的更理想的熱性能指標(biāo)、更低的電流消耗和安全可靠性。

射頻衰減器的目的是根據(jù)系統(tǒng)的需要調(diào)節(jié)無(wú)線(xiàn)電發(fā)送器或接收器信號(hào)鏈中的信號(hào)范圍。通常采用數(shù)字衰減器(DSA)或模擬衰減器(VVA)調(diào)節(jié)衰減值。針對(duì)模擬衰減器或數(shù)字衰減器的選擇，需要根據(jù)應(yīng)用要求實(shí)現(xiàn)權(quán)衡。Renesas專(zhuān)業(yè)工程師可以幫助用戶(hù)選擇最適宜的設(shè)備。

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