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射頻分立器件(PIN二極管、肖特基二極管和射頻晶體管)的應(yīng)用

發(fā)布時間:2023-12-15 08:55:56     瀏覽:891

  當(dāng)今“始終連接”的世界需要可靠、高性能、高能效的無線連接。射頻通信對于移動和無繩電話、平板電腦、游戲機(jī)和機(jī)頂盒的成功運(yùn)行至關(guān)重要。在汽車領(lǐng)域,從胎壓監(jiān)測和遠(yuǎn)程進(jìn)入到導(dǎo)航和信息娛樂,無線在各個領(lǐng)域都發(fā)揮著重要作用。射頻通信在多旋翼飛行器的控制中起著舉足輕重的作用,從而確保安全運(yùn)行。

  成功滿足這些應(yīng)用要求的關(guān)鍵在于選擇最合適的射頻組件。本文概述了對射頻通信日益增長的需求,探討了在指定晶體管和二極管等分立元件時需要考慮的因素,并介紹了幫助工程師在其設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定、魯棒和可靠通信的技術(shù)。

  分立射頻 – 無線連接的核心

  據(jù)估計(jì),到 50 年,將有超過 2020 億臺設(shè)備連接。數(shù)據(jù)流量處于歷史最高水平——由個人通信和物聯(lián)網(wǎng)的機(jī)器對機(jī)器通信驅(qū)動。隨著無線數(shù)據(jù)速率達(dá)到 1 Gbps,數(shù)據(jù)量繼續(xù)快速增長,視頻和數(shù)據(jù)流變得越來越普遍。

  隨著我們對無線的依賴程度越來越高,我們對性能和系統(tǒng)可用性的要求也越來越高,網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要。分立射頻元件的市場規(guī)模估計(jì)為 345.<> 億歐元,是提供穩(wěn)定可靠的通信的基礎(chǔ),而這些通信是消費(fèi)、工業(yè)、通信和汽車領(lǐng)域應(yīng)用的核心。

射頻產(chǎn)品在不同市場的廣泛應(yīng)用中都有應(yīng)用

  圖 1:射頻產(chǎn)品在不同市場的廣泛應(yīng)用中都有應(yīng)用

  其中最重要的射頻分立器件包括PIN二極管、肖特基二極管和射頻晶體管。在選擇這些器件時,工程師需要考慮各種標(biāo)準(zhǔn),例如性能、系統(tǒng)靈敏度、抗干擾性和效率。雖然組件性能當(dāng)然起著重要作用,但尺寸和多功能性也起著重要作用。隨著終端產(chǎn)品越來越小,各種封裝類型的高性能器件的可用性是關(guān)鍵。這使得設(shè)計(jì)人員能夠在太小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)所需的設(shè)計(jì)。

  組件的質(zhì)量和可靠性也是重要的選擇標(biāo)準(zhǔn),尤其是在預(yù)期在戶外或工廠或車輛的惡劣條件下連續(xù)運(yùn)行的應(yīng)用中。

  PIN二極管

  PIN二極管與傳統(tǒng)二極管類似,但它們在PN層之間有一個本征層。這種非摻雜區(qū)域增加了隔離并降低了電容,尤其是與傳統(tǒng)二極管相比,為射頻開關(guān)應(yīng)用帶來了顯著優(yōu)勢。

  PIN 二極管可用于電源和高壓等領(lǐng)域,常見于 RF 設(shè)計(jì)中。當(dāng)正向偏置時,PIN二極管的行為類似于電阻器,而當(dāng)反向偏置時,它變?yōu)殚_路。這些獨(dú)特的特性使PIN二極管可以用作可變衰減器中的可變電阻器或RF開關(guān)。PIN二極管也用于RF保護(hù)電路中。

  PIN二極管開關(guān)用于移動應(yīng)用(消費(fèi)類手機(jī)和基站)以及WLAN設(shè)備、機(jī)頂盒和汽車娛樂系統(tǒng)。當(dāng)用作衰減器時,它們最常見于汽車信息娛樂應(yīng)用。

  指定PIN二極管時,主要考慮因素之一是插入損耗,它與R成正比F,正向串聯(lián)電阻。RF對于給定的偏置電流,通常以毫瓦為單位,理想情況下,RF應(yīng)盡可能低。然而,與往常一樣,需要權(quán)衡取舍。在本例中,作為 RF減小,因此電容 CT增加。C 的低值T是PIN二極管寬帶隔離特性的重要決定因素。

  為確保信號完整性,PIN二極管的線性度在許多應(yīng)用中都是一個重要參數(shù),開關(guān)時間也是如此,尤其是在RX-TX組合天線電路需要快速開關(guān)時間的情況下。

  鑒于當(dāng)今應(yīng)用中的空間限制,設(shè)計(jì)人員將尋找提供各種封裝類型的供應(yīng)商,以便在PCB布局受限的情況下進(jìn)行選擇。通過將多個PIN二極管封裝在一個公共封裝中,可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)緊湊封裝。

  肖特基二極管

  肖特基二極管的特點(diǎn)是正向壓降低至約0.2 V,開關(guān)速度快。低壓降使其在電源應(yīng)用和射頻應(yīng)用中很受歡迎,而在射頻應(yīng)用中,與傳統(tǒng)的PN二極管相比,快速的開關(guān)速度帶來了顯著的優(yōu)勢。肖特基二極管通常用于檢測器電路,尤其是手機(jī)、WLAN設(shè)備和基站。它們還用作機(jī)頂盒和其他類似應(yīng)用中的混合元件。

  肖特基二極管是低勢壘 N 型硅器件,由 N 型材料上的沉積金屬層組成。然而,由于金屬化區(qū)域邊緣的強(qiáng)電場,可能會發(fā)生擊穿和泄漏效應(yīng)。這些問題可以通過在板邊緣擴(kuò)散P+半導(dǎo)體的保護(hù)環(huán)以及氧化層來克服。

顯示保護(hù)環(huán)的肖特基二極管結(jié)構(gòu)

  圖 2:顯示保護(hù)環(huán)的肖特基二極管結(jié)構(gòu)

  在指定肖特基二極管時,漏電流是首要考慮因素。這與正向電阻 R 成正比F.二極管的整體效率非常重要,尤其是在電池電量非常寶貴的便攜式設(shè)備中。設(shè)計(jì)人員還應(yīng)密切關(guān)注二極管的信號失真和線性度,以確保忠實(shí)再現(xiàn)信號。(推薦:Infineon英飛凌CoolSiC?肖特基二極管IDW15G120C5B)

  射頻晶體管

  異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HBT) 具有性能參數(shù),非常適合用作射頻應(yīng)用中的單頻段和雙頻段低噪聲放大器 (LNA)。它們通常分為低頻(<5 GHz)和中頻(高達(dá) 14 GHz)。推薦Ampleon寬帶功率LDMOS射頻晶體管BLF642

  LNA 廣泛用于射頻應(yīng)用,因此,射頻晶體管可用于衛(wèi)星通信、導(dǎo)航系統(tǒng)、移動和固定連接(例如 WiMAX)和 Wi-Fi 系統(tǒng)。它們也是多旋翼飛行器遠(yuǎn)程控制的基礎(chǔ)。

  在指定射頻晶體管時,需要考慮許多方面。由于射頻晶體管的基本作用是放大信號,因此增益(G麥克斯)是至關(guān)重要的。器件效率也可能很重要,尤其是在電池供電應(yīng)用中。

  噪聲系數(shù) (NF) 是一個關(guān)鍵參數(shù),它表征了與理論上完美的(無損和無噪聲)放大器相比,實(shí)用放大器的信噪比 (SNR) 下降。NF就是放大器輸入端的SNR與輸出端SNR的比值。

  基礎(chǔ)半導(dǎo)體技術(shù)將對特定應(yīng)用的整體適用性產(chǎn)生重大影響。例如,與砷化鎵替代品相比,硅鍺 (SiGe) 具有許多優(yōu)勢,包括由于 V 較低而具有更高的效率CE認(rèn)證而且,一般來說,SiGe器件具有更好的噪聲系數(shù)。

  與SiGe器件相比,SiGe:C(硅-鍺-碳化物)雙極器件具有類似的出色噪聲和線性度性能,其額外優(yōu)勢是ESD保護(hù)可以直接集成到晶體管中,從而顯著提高了器件的魯棒性。

  “最先進(jìn)的”射頻分立器件

  英飛凌用于互補(bǔ)無線設(shè)計(jì)的射頻分立器件系列是這些技術(shù)近年來發(fā)展的一些很好的例子。例如,在PIN二極管的情況下,BA592的插入損耗(RF) 為 360 mW,而 BAR63 的 C 值為 0.23 pFT.如果空間在應(yīng)用中至關(guān)重要,那么 BAR90 可作為采用超小型 TSSLP8 封裝的四重封裝提供。英飛凌 PIN 二極管系列的性能使其成為天線開關(guān)應(yīng)用的理想選擇,同時 AEC 認(rèn)證也確保了對要求苛刻的汽車應(yīng)用的適用性。

  對于肖特基二極管,則有多種封裝內(nèi)配置可供選擇,包括共陽極或陰極以及串聯(lián)和并聯(lián)配置。BAT15 系列提供多種配置,包括雙通道和四通道選項(xiàng),帶有 CT0.26 pF,非常適合混頻器應(yīng)用。為了獲得終極性能,BAT24 擁有 CT僅為 0.21 pF,適用于高達(dá) 24 GHz 的雷達(dá)系統(tǒng)。

  最后,英飛凌的射頻晶體管技術(shù)(現(xiàn)已推出第8代)旨在在整個范圍內(nèi)提供低噪聲和高線性度等關(guān)鍵性能值。

英飛凌的射頻晶體管產(chǎn)品線通過持續(xù)創(chuàng)新提供一流的性能

  圖 3:英飛凌的射頻晶體管產(chǎn)品線通過持續(xù)創(chuàng)新提供一流的性能

  這一代產(chǎn)品的主要特性包括高轉(zhuǎn)換頻率(fT) 為 80 GHz,并且由于能夠在低至 1.2 V 的電源電壓下工作而功耗低。

RF 增益 (G麥克斯)和噪聲功能與競爭器件相比,性能大幅提升

  圖 4:RF 增益 (G麥克斯)和噪聲功能與競爭器件相比,性能大幅提升

  BFx84x 系列是領(lǐng)先的 HBT 器件之一,在分立式射頻 LNA 中被認(rèn)為是“同類最佳”。該器件的噪聲系數(shù)為 0.85 dB (@5.5 GHz),增益高達(dá) 23 dB,由于器件具有特殊的幾何形狀,其性能優(yōu)于市場上的許多其他器件。與英飛凌的所有 SiGe:C 射頻晶體管一樣,BFx84x 提供高達(dá) 1.5 kV (HBM) 的內(nèi)置 ESD 保護(hù)。

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