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Princeton Microwave介電諧振器 頻率3~40GHz

發(fā)布時間：2024-01-05 09:28:33     瀏覽：565

Princeton Microwave介電諧振器振蕩器是由高介電常數(shù)材料制成，電磁場可以被限制并使其諧振。諧振頻率由電介質(zhì)矩形或圓盤的物理尺寸、材料的介電常數(shù)以及不同程度的支撐和容納結構決定。機械調(diào)諧是通過使調(diào)諧螺釘更靠近介電諧振器來實現(xiàn)的，從而將TE模式的諧振頻率修改為增加的值。諧振頻率這種行為的原因在腔體擾動理論中得到了解釋。也就是說，當空腔的金屬壁向內(nèi)移動時，如果存儲的能量主要是電的，則諧振頻率會降低。否則，當靠近金屬壁的存儲能量主要是磁性的時，在屏蔽TE介質(zhì)諧振器的情況下，當壁向內(nèi)移動時，諧振頻率會增加。在電子調(diào)諧的 DRO 中，與微帶線相關的變?nèi)荻O管在介電諧振器頻率周圍產(chǎn)生共振。該諧振電路與介質(zhì)諧振器電磁耦合，形成一對相互耦合的諧振電路。通過隨偏置電壓改變變?nèi)荻O管電容，現(xiàn)在可以調(diào)諧介電諧振器的諧振頻率，耦合到一側的變?nèi)荻O管微帶線和另一側的 50 歐姆微帶線。介電諧振振蕩器(DSO)使用介電諧振器作為其頻率決定元件。當介電材料選擇得當時，介電常數(shù)隨溫度的變化趨于抵消，從而提供相對較好的溫度與頻率穩(wěn)定性。

Princeton Microwave介電諧振器 頻率3~40GHz

特征：

可根據(jù)客戶指定頻率定制（頻率：3 至 40 GHz）

封裝MESFET或BJT器件

低相位噪聲

低顫音

高振動操作

SMT和/或連接器外殼制造

內(nèi)部電壓調(diào)節(jié)


選型：

介電諧振器振蕩器

系列頻率范圍調(diào)音功率輸出
PmT DRO-40003 – 12 GHzMechanical/Electronic13 dBm
PmT DRO-500012 – 18 GHzMechanical/Electronic13 dBm
PmT DRO-600018 – 40 GHzMechanical/Electronic13 dBm
PmT DRO-700017 – 24 GHzMechanical/Electronic13 dBm
PmT DRO-SM6 – 24 GHzMechanical/Electronic13 dBm
PmT DRO-1919 GHzFixed20 dBm


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