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LSJ74,SST74超低噪聲單P通道晶體管Linear Systems

發(fā)布時間：2024-05-23 09:10:10 瀏覽：336

LSJ74,SST74超低噪聲單P通道晶體管Linear Systems

　　LSJ74和SST74是單P通道超低噪聲晶體管，適用于音頻和聲學應用。它們具有以下顯著的技術(shù)特性：

　　1. 超低噪聲水平：在1kHz條件下，表現(xiàn)出極低的噪聲水平，適用于對信噪比要求高的應用。

　　2. 高增益：LSJ74的典型Gis為22mS，可有效放大信號。

　　3. 高輸入阻抗：減少信號源與晶體管之間的信號損失，提高信號傳輸效率。

　　4. 低電容：減少高頻應用中的失真和相位偏移。

　　此外，這些晶體管還具備其他重要的電氣特性：

　　1. 最大限制評級：在不同溫度下有相應的最大允許工作溫度和功耗限制。

　　2. 擊穿電壓：具有高的柵極到漏極擊穿電壓，提高在高電壓環(huán)境中的穩(wěn)定性。

　　3. 漏電流與柵極電流：在規(guī)定條件下的漏電流和柵極電流限制有助于確保其穩(wěn)定、可靠的工作。

　　LSJ74和SST74可在TO-92和SOT-89封裝形式中獲得，并提供裸片形式。它們是東芝2SJ74的直接替代品，適用于超低噪聲音頻/聲學應用。

SYMBOL	CHARACTERISTIC		MIN	TYP	MAX	UNITS	CONDITIONS
BVgpS	Gate to Drain Breakdown Voltage		25			V	Vos =0V,lg=100μA
VastoFF	Gate to Source Pinch-off Voltage		0.15		2	V	Vos=-10V,lo=-0.1μA
lDss	Drain to Source Saturation Current	LSJ74A	2.6		6.5	mA	Vpg=-10V,Vgs=0V
		LSJ74B	6		-12
		LSJ74C	-10		20
		LSJ74D	-17		-30
lg	Gate Operating Current			50		pA	VoG=-10V,lo=-1mA
gss	Gate to Source Leakage Current				1	nA	Vos =25V,Vps =0V
Giss	Full Conductance Transconductance		8	22		mS	VoG=-10V,Vcs=0V,f=1kHz
en	Noise Voltage			1.9		nV/VHz	Vos=-10V,lo=-2mA,f=1kHz NBW=1Hz
en	Noise Voltage			4		nV/VHz	Vos=-10V,lo=-2mA,f=10Hz NBW=1Hz
Ciss	Common Source Input Capacitance			105		pF	Vos=-10V,Vcs=0V,f=1MHz
CRS	Common Source Reverse Transfer Cap			32		pF	Vos=-10V,lo=0A,f=1MHz

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