国产日产高清欧美一区-日韩精品一二三区久久久-欧美女人性开放色逼逼-国语刺激乱对白在线播放

Solitron SD11720 N溝道功率MOSFET

發(fā)布時間：2024-07-22 10:19:25     瀏覽：201

　　SD11720是一款由Solitron Devices, Inc.推出的SiC N溝道功率MOSFET，專為高效率和高可靠性的功率電子應用設計。該器件采用了先進的碳化硅(SiC)技術，提供了卓越的電氣性能和熱性能，使其成為各種工業(yè)和能源應用的理想選擇。

Solitron SD11720 N溝道功率MOSFET

　　主要特點(Key Features)

　　漏極電流 (I_D): 58A

　　導通狀態(tài)電阻 (R_DS(on)): 50mΩ

　　封裝類型: TO-247-3 塑料封裝

　　優(yōu)勢(Benefits)

　　SD11720 MOSFET具有多項顯著優(yōu)勢，包括：

　　低導通電阻的高阻斷電壓: 這使得器件在高壓應用中能夠提供高效率和低損耗。

　　低電容的高速開關: 高速開關能力減少了開關損耗，提高了整體系統(tǒng)效率。

　　高工作結溫能力: 能夠在高達175°C的結溫下工作，增強了器件的可靠性和耐久性。

　　較強的內置體二極管性能: 這對于需要反向恢復特性的應用尤為重要。

　　應用(Applications)

　　SD11720 MOSFET廣泛應用于以下領域：

　　- 太陽能逆變器

　　- 不間斷電源 (UPS)

　　- 電機驅動器

　　- 高電壓直流/直流轉換器

　　- 開關模式電源

　　絕對最大額定值(Absolute Maximum Ratings)

SYMBOL CHARACTERISTIC                        TEST CONDITIONS                        VALUE    UNIT
VosmxDrain-Source VoltageVs=0V,I=100μA1200 V

Gate-SourceVoltageAbsolute maximum values-5/+20V
lContinuous Drain Current (see fig.21)V=20V,T=25℃
Vs=20V,T[=100℃		58
43
A
A
D,pulsePulsed Drain Current     (see fig.24)Pulse Width Limited by SOA15 A
PMaximum Power Dissipation (see fig.22)T=25℃327 W
T,TsmJunction Temperature,Operatingand Storage
-55 to +175℃
ISolder TemperatureWave solderingonly allowed at leads,1.6mm from
case for 10s		260 ℃

　　SD11720 MOSFET的高性能和廣泛的應用范圍使其成為功率電子領域的關鍵組件。無論是用于太陽能逆變器、不間斷電源、電機驅動器還是高電壓DC/DC轉換器，SD11720都能提供卓越的性能和可靠性，滿足現(xiàn)代功率電子系統(tǒng)對高效率和高可靠性的要求。

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關產品信息可咨詢立維創(chuàng)展。

推薦資訊

  • 2.3-2.7GHz S波段射頻功率晶體管Ampleon
    2.3-2.7GHz S波段射頻功率晶體管Ampleon 2024-04-15 09:03:11

    Ampleon的2.3-2.7GHz S波段射頻功率晶體管是一款高性能的產品，專為滿足高功率、高效率和高可靠性的要求而設計。這款晶體管在無線通信、雷達系統(tǒng)和其他S波段應用中發(fā)揮著關鍵作用。

  • ADI晶圓各種材料工藝對應輸出功率及頻率
    ADI晶圓各種材料工藝對應輸出功率及頻率 2021-05-21 17:09:32

    ?在電子器件中，射頻和功率應用是主要的。GaN on SiC、GaN自支撐襯底、GaAs襯底、GaAs on Si主要用于射頻半導體(射頻前端PA等)，而Gan on Si和SiC襯底主要用于功率半導體(汽車電子學等)。

在線留言

在線留言