C4H2350N10 - 10W GaN封裝功率晶體管Ampleon
發(fā)布時間:2024-11-29 08:54:42 瀏覽:93
C4H2350N10是Ampleon一款專為基站應(yīng)用設(shè)計的10瓦特GaN(氮化鎵)功率晶體管,適用于2.3-2.7 GHz頻段的移動寬帶應(yīng)用。
產(chǎn)品特點:
數(shù)字預(yù)失真能力:該晶體管具有出色的數(shù)字預(yù)失真能力,有助于提高信號質(zhì)量和系統(tǒng)性能。
高效率:高效率設(shè)計有助于減少能量損耗,降低運行成本。
寬帶操作:設(shè)計用于寬帶操作,使其能夠適應(yīng)不同頻率范圍內(nèi)的應(yīng)用需求。
低輸出電容:較低的輸出電容有助于提高在各種應(yīng)用中的性能。
環(huán)保合規(guī):符合RoHS(限制有害物質(zhì)使用)標(biāo)準(zhǔn),符合環(huán)保要求。
應(yīng)用領(lǐng)域:
基站射頻功率放大器:適用于2300 MHz至5000 MHz頻率范圍內(nèi)的基站射頻功率放大器。
多載波應(yīng)用:也適用于同一頻率范圍內(nèi)的多載波應(yīng)用。
技術(shù)參數(shù):
頻率范圍:2300 MHz至5000 MHz。
3dB增益壓縮下的標(biāo)稱輸出功率:10W。
漏源電壓(VDS):在2496 MHz至2690 MHz頻率下,標(biāo)稱值為50V。
功率增益(Gp):在2496 MHz至2690 MHz頻率下,標(biāo)稱值為18.9dB。
漏效率(ηD):在2496 MHz至2690 MHz頻率下,標(biāo)稱值為15.5%。
平均輸出功率(PL(AV)):在2496 MHz至2690 MHz頻率下,標(biāo)稱值為27dBm。
靜態(tài)漏源電流(IDq):在2496 MHz至2690 MHz頻率下,標(biāo)稱值為10mA。
鄰道功率比(ACPR):在2496 MHz至2690 MHz頻率下,標(biāo)稱值為-36.3dBc。
Ampleon是一家全球領(lǐng)先的射頻和功率半導(dǎo)體解決方案提供商,提供包括射頻功率放大器、收發(fā)器、射頻開關(guān)、驅(qū)動電路和功率控制器等在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品線,適用于4G LTE、5G NR基礎(chǔ)設(shè)施、廣播、工業(yè)等多個領(lǐng)域,深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢分銷Ampleon產(chǎn)品線,歡迎咨詢了解。
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MICRON? DDR3 SDRAM比之前的DDR和DDR2 SDRAM提供更多的帶寬。除了出色的性能外,DDR3還具備較低的工作頻率范圍。結(jié)果可以是更高帶寬的實施系統(tǒng),同時消耗相等或更少的系統(tǒng)功率。
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