国产日产高清欧美一区-日韩精品一二三区久久久-欧美女人性开放色逼逼-国语刺激乱对白在线播放

Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET

發(fā)布時間：2024-12-30 08:51:50     瀏覽：386

Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET

　　Solitron Devices SMF460這款MOSFET適用于需要高電壓和高電流的應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動器和高功率開關(guān)電路。

　　關(guān)鍵特性：

　　連續(xù)漏極電流 (ID)：10A

　　導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：300mΩ

　　快速恢復(fù)二極管：內(nèi)置

　　雪崩額定：能夠承受高能量脈沖

　　封裝：TO-254 密封封裝

　　背面隔離：提供額外的絕緣

　　篩選：JANTX, JANTXV 篩選可用

　　絕對最大額定值(TC = 25°C，除非另有說明)：

　　漏源電壓 (VDSmax)：650V

　　柵源電壓 (VGSM)：±30V(瞬態(tài))

　　柵源電壓 (VGSS)：±20V(連續(xù))

　　連續(xù)漏極電流 (ID25)：10A

　　脈沖漏極電流 (ID(PULSE))：40A(脈沖寬度Tp受TJmax限制)

　　功率耗散 (PD)：116W

　　結(jié)溫范圍，工作/存儲 (TJ/TSTG)：-55°C至150°C

　　電氣規(guī)格(TJ = 25°C，除非另有說明)：

　　體二極管正向電壓 (VSD)：1.4V(當(dāng)IS = 10A, VGS = 0V)

　　漏源擊穿電壓 (V(BR)DSS)：650V

　　柵閾值電壓 (VGS(th))：3至5V

　　關(guān)態(tài)漏極電流 (IDSS)：10μA(在VDS = 650V, VGS = 0V, T = 25°C)

　　柵源漏電流 (IGSS)：±100nA(在VGS = ±20V, VDS = 0V)

　　漏源導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：260至300mΩ(在VGS = 10V, ID = 6A, TJ = 25°C)

　　跨導(dǎo) (Gfs)：6.5S(在VDS = 10V, ID = 6A, TJ = 25°C)

　　總柵電荷 (Qg(on), Qgs, Qgd)：17, 4.7, 6.1nC(在VGS = 10V, VDS = 325V, ID = 6A)

　　開關(guān)時間 (td(on), tr, td(off), tf)：23, 24, 47, 15ns(在VDD = 325V, ID = 6A, RG = 4.3Ω)

　　熱阻 (RthJC)：1.08°C/W

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。

推薦資訊

  • AIROC? CYW5557x Wi-Fi 6E 三頻和藍(lán)牙? 5 SoC
    AIROC? CYW5557x Wi-Fi 6E 三頻和藍(lán)牙? 5 SoC 2024-01-10 14:32:10

    Infineon 的 AIROC? CYW5557x 是高度集成的 Wi-Fi 6/6E 和藍(lán)牙? 5.3 SoC 系列。CYW5557x 支持 Wi-Fi 6 / 6E 功能和三頻(2.4GHz、5GHz、6GHz)功能，提供 1x1 單輸入單輸出 (SISO) 和 2x2 多輸入多輸出 (MIMO) 配置。該 SoC 在擁擠的網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中帶來卓越的高質(zhì)量視頻/音頻流和無縫游戲體驗，并通過在 6G 頻譜中運行來顯著降低延遲。

  • 440LS10-R陶瓷盤EMI抑制電容器VISHAY
    440LS10-R陶瓷盤EMI抑制電容器VISHAY 2024-07-09 09:12:49

    440LS10-R 是一款由VISHAY生產(chǎn)的高性能陶瓷盤EMI抑制電容器，符合IEC 60384-14標(biāo)準(zhǔn)，濕度等級為IIIB。具有高可靠性、徑向引線、高電容值可達(dá)20 nF，適用于交流電路中的安全應(yīng)用。主要用于X1, Y1類電容器，線路到線路和線路到地過濾，以及開關(guān)電源中的耦合應(yīng)用。陶瓷盤結(jié)構(gòu)，兩側(cè)銀鍍層，引線采用鍍錫銅線，直徑0.81毫米，間距9.5毫米。電容范圍10 pF到20 nF，額定電壓X1類760 VAC，Y1類500 VAC，介電強(qiáng)度工廠測試4000 VAC，絕緣電阻最小1000 MΩ，損耗因子最大2.0%，使用溫度范圍-30 °C到+125 °C。

在線留言

在線留言