- 產(chǎn)品詳情
SiC MOSFET采用英飛凌性能優(yōu)化芯片技術(shù)(Gen1p)，具有一流的開關(guān)性能、抗寄生導通的魯棒性以及改進的RDSon和Rth(j-c)。高功率密度、卓越的效率、雙向充電能力和顯著降低的系統(tǒng)成本使其成為車載充電器和DCDC應(yīng)用的理想選擇。
導通電阻：1200V PPOS
9mOhm：AIMBG120R010M1
20mOhm：AIMBG120R020M1
30mOhm：AIMBG120R030M1
40mOhm：AIMBG120R040M1
60mOhm：AIMBG120R060M1
80mOhm：AIMBG120R080M1
120mOhm：AIMBG120R120M1
160mOhm：AIMBG120R160M1
功能概要
革命性的半導體材料——碳化硅
極低的開關(guān)損耗
無閾值導通狀態(tài)特性
0V 關(guān)斷柵極電壓
基準柵極閾值電壓，VGS(th)=4.5V
完全可控的 dv/dt
換向穩(wěn)健體二極管，可進行同步整流
與溫度無關(guān)的關(guān)斷開關(guān)損耗
用于優(yōu)化開關(guān)性能的檢測引腳
適用于高壓爬電距離要求
XT 互連技術(shù)，實現(xiàn)一流的熱性能
好處
效率提升
實現(xiàn)更高的頻率
提高功率密度
減少冷卻工作量
降低系統(tǒng)復雜性和成本
潛在應(yīng)用
車載充電器DC-DC轉(zhuǎn)換器電子保險絲
電池斷開
參數(shù)：
| Parametrics | AIMBG120R040M1 |
|---|---|
| Ciss | 1264 pF |
| Coss | 63 pF |
| ID (@25°C) max | 54 A |
| Operating Temperature min max | -55 °C 175 °C |
| Ptot (@ TA=25°C) max | 268 W |
| Package | TO-263-7 |
| Polarity | N |
| QG | 43 nC |
| Qualification | Automotive |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 40 m? |
| RthJC max | 0.56 K/W |
| VDS max | 1200 V |
| VGSS, off | 0 |
| VGSS, on | 20 |
