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Infineon英飛凌P 溝道 MOSFET 采用空穴流作為載流子，其遷移率小于 N 溝道 MOSFET 中的電子流。就功能而言，二者的主要區(qū)別在于 P 溝道 MOSFET 需要從柵極到源極的負電壓 (VGS) 才能導通，而 N 溝道 MOSFET 則需要正 VGS 電壓。這使得 P 溝道 MOSFET 成為高邊開關的理想之選。器件設計簡潔，有利于在有限空間內打造低壓驅動應用和非隔離 POL 產(chǎn)品。P 溝道 MOSFET 特性的一大優(yōu)勢在于可簡化柵極驅動技術，這通常可降低整體成本。

英飛凌提供從-12 V到-250 V各種電壓等級的P溝道功率MOSFET。P溝道增強型功率MOSFET為設計者提供了一種新的選擇，可以在優(yōu)化性能的同時簡化電路設計，有-60 V 、-100 V，以及-200 V和-250 V P溝道MOSFET。P溝道器件的主要優(yōu)勢是降低了中、低功率應用的設計復雜性。英飛凌的-12 V P溝道MOSFET和-20 V P溝道MOSFET提供了行業(yè)標準的表貼功率封裝，而-30 V P溝道MOSFET和-40 V P溝道MOSFET則經(jīng)過優(yōu)化，可從分銷商合作伙伴處獲得最廣泛的供應支持。

P溝道功率MOSFET，包括P溝道MOSFET-12V系列，非常適用于電池保護、反極性保護、線性電池充電器、負載開關、DC-DC轉換器和低壓驅動應用。P溝道MOSFET，如P溝道MOSFET-30V系列，通常用于消費電子產(chǎn)品，如筆記本、手提電腦、手機和PDA。

可用的封裝包括D2PAK、DPAK、 DirectFET, IPAK, I2 PAK, PQFN, SOT-223, TO-220, TO-247, SOT-23, TSOP-6, 和SuperSO8等等。瀏覽我們的產(chǎn)品列表，找到高度創(chuàng)新的完整P溝道MOSFET產(chǎn)品清單，包括我們的 OptiMOS?產(chǎn)品系列，電壓范圍涵蓋-12 V至-250 V。

30V單P溝道StrongIRFET?功率MOSFET，采用DirectFET? MX封裝

StrongIRFET?功率MOSFET系列針對低R進行了優(yōu)化DS(開)和高電流能力。這些器件非常適合需要高性能和耐用性的低頻應用。全面的產(chǎn)品組合適用于廣泛的應用，包括直流電機、電池管理系統(tǒng)、逆變器和 DC-DC 轉換器。

特征描述：

針對分銷合作伙伴提供最廣泛的可用性進行了優(yōu)化

符合JEDEC標準的產(chǎn)品認證

高額定電流

雙面冷卻能力

封裝高度低：0.7mm

低寄生 (1-2 nH) 電感封裝

100%無鉛(無RoHS豁免)

優(yōu)勢：

分銷合作伙伴的廣泛可用性

行業(yè)標準資質等級

高載流能力

最佳熱性能

緊湊的外形

高效率

環(huán)保

應用：

電源管理功能

電機控制車載充電器

直流-直流

消費者

參數(shù)：