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IRHNS597Z60是抗輻射單通道P溝道MOSFET,-30V,56A,特點為單粒子效應強化、低RDS(on)、質子耐受、簡單驅動、密封陶瓷封裝、輕巧,適用于DC-DC轉換器、電機驅動、配電電路、負載開關、電池充電。具ESD等級3A,TID級別100krad或300krad,符合MIL-STD-750標準,JANS篩選級別。
Part Number | Radiation Level | RDS(on) | lD | QPL Part Number |
IRHNS597Z60 | 100 kRads(Si) | 0.0132 | -56A* | JANSR2N7523U2A |
IRHNS593Z60 | 300 kRads(Si) | 0.0132 | -56A* | JANSF2N7523U2A |