DS90CR285發(fā)送器和DS90CR286接收器TI
發(fā)布時間:2024-04-24 09:08:51 瀏覽:635
DS90CR285和DS90CR286是一對用于數(shù)據(jù)傳輸?shù)男酒M,其主要功能是將28位的LVCMOS/LVTTL數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為4個LVDS(低壓差分信號)數(shù)據(jù)流,并在接收端將這些LVDS數(shù)據(jù)流重新轉(zhuǎn)換回28位的LVCMOS/LVTTL數(shù)據(jù)。這對芯片組的工作原理如下:
- DS90CR285發(fā)送器:它接收28位的LVCMOS/LVTTL數(shù)據(jù),并將其轉(zhuǎn)換為4個LVDS數(shù)據(jù)流。在數(shù)據(jù)傳輸過程中,它利用一個LVDS鏈路與數(shù)據(jù)流進行同步,并且使用一個發(fā)送時鐘對28位輸入數(shù)據(jù)進行采樣和傳輸。
- DS90CR286接收器:它接收來自DS90CR285發(fā)送器的LVDS數(shù)據(jù)流,并將其轉(zhuǎn)換回原始的28位LVCMOS/LVTTL數(shù)據(jù)。接收端的工作類似于發(fā)送端,但是逆過程。
這對芯片組的特點和優(yōu)勢包括:
- 高達231兆字節(jié)/秒的帶寬和高達1.848 Gbps的數(shù)據(jù)吞吐量,使其適用于需要高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)膽?yīng)用場景。
- 采用+3.3V單電源供電,省電模式功耗低于0.5mW,具有較低的功耗。
- 支持多種信號組合,如7個4位半字節(jié)或3個9位數(shù)據(jù)和1個控件。
- 窄總線設(shè)計減小了電纜尺寸,節(jié)省了系統(tǒng)成本并降低了連接器的物理尺寸。
- DS90CR285發(fā)送器的LVDS器件具有290mV的擺幅,有利于降低電磁干擾(EMI)。
- 兼容TIA/EIA-644 LVDS標(biāo)準(zhǔn),保證了與其他LVDS設(shè)備的兼容性。
- ESD額定值高于7kV,具有良好的靜電放電保護性能。
- 適用于工作溫度范圍廣泛,從-40°C至+85°C,可以滿足多種環(huán)境條件下的應(yīng)用需求。
- 芯片組采用扁平56引腳TSSOP封裝,便于PCB設(shè)計和集成。
Orderable Device | Status Package Type Package Pins Package (1) Drawing Qty | Eco Plan (2) | Lead finish Ball material (8) | MSL Peak Temp Op Temp (C) (3) | Device Marking (4/5 |
DS90CR285MTD | LIFEBUY TSSOP DGG 56 34 | Non-RoHS& Non-Green | Call Tl | Call Tl 40 to 85 | DS90CR285MTD >B |
DS90CR285MTD/NOPB | ACTIVE TSSOP DGG 56 34 | RoHS &Green | SN | Level-2-260C-1 VEAR40 to 85 | DS90CR285MTD >B |
DS90CR285MTDX/NOPB | ACTVE TSSOP DGG 56 1000 | RoHS &Green | SN | Level-2-260C-1 YEAR 40 to 85 | DS90CR285MTD >B |
DS90CR286MTD | LIFEBUY TSSOP DGG 56 34 | Non-RoHS &Green | Call Tl | Level-2-235C-1 YEAR | DS90CR286MTD >B |
DS90CR286MTD/NOPB | NRND TSSOP DGG 56 34 | RoHS &Green | SN | Level-2-260C-1 YEAR | DS90CR286MTD >B |
DS90CR286MTDX/NOPB | NRND TSSOP DGG 56 1000 | RoHS &Green | SN | Level-2-260C-1 YEAR | DS90CR286MTD >B |
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,專注于TI 德州儀器品牌高端可出口產(chǎn)品系列新品產(chǎn)品,并備有現(xiàn)貨庫存,可當(dāng)天發(fā)貨。
推薦資訊
PL1374變壓器iNRCORE是一款高可靠性表面貼裝變壓器,尺寸緊湊為7.62 × 7 × 6.35毫米,適用于空間受限的電子設(shè)備。它采用6-Pin封裝和SMT安裝方式,具有1CT:1CT的匝數(shù)比,最大直流電阻為800 mΩ,工作溫度范圍為-55°C至+125°C。表面處理為錫/鉛(Sn63/Pb37),濕度敏感等級為3級,不符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),但具有軍用航空級(Mil-Aero)等級。隔離電壓為1500 VRMS,采用環(huán)氧樹脂封裝,適用于極端環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性要求高的應(yīng)用。
IR HiRel?是高效發(fā)電、電源和電源解決方案的市場領(lǐng)先者。最新一代IR HiRel MOSFET晶體管旨在確保市場領(lǐng)先性能,提高效率,并根據(jù)最新的EMI行為實現(xiàn)更好的散熱。
在線留言