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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢(shì)。特別是高臨界電場(chǎng)使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  TPSM8A29降壓模塊（集成電感器） 2022-04-13 17:01:22

  TPSM8A28和TPSM8A29降壓電源模塊具備小尺寸和高效率。該模塊產(chǎn)品系列包括集成電感器和基礎(chǔ)無源元件，它們無需外部補(bǔ)償，可以在更大程度上減少解決方案的尺寸。